近日，美国斯坦福大学David Goldhaber研究小组与美国国家强磁场实验室的Oskar Vafek等人揭示了应变诱导开放费米表面扭曲双层石墨烯中的异常磁输运现象。相关研究成果8月14日发表于美国《国家科学院院刊》。
据悉，玩具型Hofstadter模型中的各向异性跳跃被用来解释在远离魔角的扭曲双层石墨烯中测量到的朗道光谱。
该研究团队怀疑玩具型Hofstadter模型中的各向异性可能由单轴应变引起。为验证这一想法，研究人员将Bistritzer-MacDonald模型扩展到单轴异质应变，并详细分析了其对能带结构和磁输运的影响。研究人员发现，这种应变影响了能带结构，将3个本应简并的van Hove点转移到不同的能量上。结合玻尔兹曼磁输运计算，这再现了以前无法解释的密度范围内非饱和磁电阻，并预测了实验数据中未注意到的更微妙特征。与纵向电阻率的显著特征相反，霍尔系数几乎不受单轴应变的影响。
在某种程度上，霍尔系数在电荷中性点的两侧仍然显示出单符号变化，但这种符号变化不再发生在van Hove点。
相关论文信息：