法国Langevin研究所Valentina Krachmalnicoff等人实现了介电间隙纳米天线辐射衰减率增强的单发射器超分辨成像。相关研究1月2日发表于《光：科学与应用》。
研究人员使用单分子荧光寿命成像显微镜绘制了介电GaP纳米天线二聚体的衰减率增强图，定位精度中值为14nm。研究人员测量到，在纳米天线的间隙中，衰减率几乎是在玻璃基底上的30倍。通过将实验结果与数值模拟进行比较，研究人员发现这种大的增强本质上是辐射的，与等离子激元纳米天线的情况相反，因此在量子光学和生物传感等应用方面具有很大的潜力。
据悉，高折射率的介质纳米天线通过设计辐射通道，利用珀塞尔效应有效地改变了衰减率。由于它们的介电性质，电场主要局限于纳米结构内部和间隙中，这是扫描探针技术难以探测到的。
相关论文信息：
https://doi.org/10.1038/s41377-023-01349-2